成果简介：

       超宽禁带半导体氧化镓晶体是新一代半导体材料，在能源、信息、国防、轨道交通、电动汽车等领域具有重要应用价值。氧化镓具有禁带宽度大、吸收截止边短等优点，是超高压功率器件和深紫外光电子器件的优选材料。

        山东大学拥有该晶体及生长工艺的完整知识产权，可以生长高质量、大尺寸单晶，晶体位错密度仅为 104cm-2；通过不同元素掺杂氧化镓晶体生长工艺，实现了晶体电阻率在 10-3-1011Ωcm 的连续可调；研制的单晶衬底表面粗糙度＜0.5 nm，完全符合器件制作要求；高质量单晶衬底与 GaN 失配小、透明导电，可以用于制备垂直结构的高亮度 LED；该成果处于国内领先水平，具有单晶生长速度快、成本低等特点，对于推进我国宽禁带半导体技术发展和进步具有重大意义。

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       应用情况:
       该成果主要用于新一代信息技术、新材料等领域，是功率器件、紫外光电探测、高亮度 LED 的关键材料。据统计，目前宽禁带半导体市场已经达到 2 万亿元，氧化镓作为高性能的新一代超宽禁带半导体材料，在未来将占据重要的市场份额。作为可通过熔体法快速生长的低成本宽禁带半导体材料，亦将在部分领域取代Si 基器件，开拓更大市场空间。